• 采用a - S i非晶硅 TFT（薄膜晶体管）探测器 • 140μ像素间距（3, 57lp/mm） • 16位灰度 • GOS （硫氧化钆或氧化钆） 闪烁体 • 与DXR250UW/CW相比， 曝光时间缩短了±40% 或在同等剂量下达到更高的信噪比（高对比度 ） • 成像区域为353 x 424m m（14x 17 “) • 图像像素为2520 x 3032
